Bablich, Andreas: Modellierung, Herstellung und Optimierung von a-Si:H Mehrfarbdioden für eine verbesserte Farbseparation. 2014
Inhalt
- Inhaltsverzeichnis
- Kurzfassung
- Abstract
- Stand der Technik
- Kontaktmaterial ZnO:Al
- Amorphes, hydrogenisiertes Silizium
- Physikalische Grundlagen amorpher Siliziumdünnschichten
- Herstellung amorpher Siliziumdünnschichten
- Modellierung von a-Si:H Bauelementen
- Halbleitergleichungen
- Zustandsdichte und Bandstruktur
- Feldverlauf, Generation und Rekombination
- Absorption
- -Produkt
- Zusammenfassung
- Herstellung und Optimierung unipolarer Sensorarchitekturen
- Sensoren mit diskreten Absorptionsschichten
- pin-Architekturen mit a-Si:H-Absorbern
- pin-Architekturen mit a-SiGe:H-Absorbern
- pin-Architektur mit a-SiC:H-Absorber
- pi3n-Architekturen
- pi5n-Architekturen
- Zusammenfassung
- Sensoren mit kontinuierlichen Absorptionsschichten
- Reverse Profil Nr. 1340
- Reverse-Profil Nr. 1305
- Reverse-Profil Nr. 1319
- Reverse-Profil Nr. 1321
- Reverse-Profil Nr. 1324
- Reverse-Profil Nr. 1325
- Sensoren mit kontinuierlichen Absorptionsschichten und diskreter Zwischenschicht
- Reverse-Profil mit vergrabenem a-Si:H Nr. 1233
- Low-voltage-Profil mit vergrabenem a-Si:H Nr. 1341
- Reverse-Profil mit C-SiGeC:H Rückabsorber Nr. 1356
- Reverse-Profil mit vergrabener Filterstruktur Nr. 1364
- Zusammenfassung
- Ausblick
- Danksagung
- Publikationsliste
- Symbolverzeichnis
- Abkürzungsverzeichnis
- Probenverzeichnis
- Literaturverzeichnis